Alkalmazott anyagok félvezető galvanizáló rendszere, Raider® Edge ECD

Az Applied Materials Raider® Edge ECD rendszere mércét jelent az elektrokémiai leválasztás (ECD) területén a félvezetőgyártásban. Az Applied Materials Semitool felvásárlását követő technológiai integrációnak köszönhetően a rendszert széles körben alkalmazzák a fejlett tokozási és wafer szintű összekapcsolási folyamatokban, kiemelkedve nagy rugalmasságáról, nagy áteresztőképességéről és kivételes folyamatirányításáról.

**Rendszer pozicionálása**

**Cég:** Applied Materials, Inc.

**Termékmodell:** Raider® Edge ECD

**Berendezés típusa:** Automatizált többkamrás, egyszeletes elektrokémiai leválasztó rendszer

**Történelmi jelentőség:** Az egyszeletes galvanizálási technológia területén elismert „ipari etalon”. Az egyszeletes ECD eszközök negyedik generációját képviseli; elődjét, a Raider GT rendszert eredetileg a chiptechnológia három generációjának fejlesztésére tervezték.

**Alapelvek**

Az elektrokémiai leválasztás elektromos áram segítségével redukálja a fémionokat a lapka felületére, ezáltal egy speciális vékonyréteget képezve. A Raider Edge ECD rendszer túlmutat az egyszerű galvanizáláson; egy kifinomult vezérlőrendszeren keresztül lehetővé teszi az eljárás atomi szintű pontosságának elérését. Ezenkívül a rendszer különféle nedves feldolgozási lépéseket támogat, például a lapka maratását és tisztítását.

**Jellemzők és előnyök**

Ereje nemcsak a standard galvanizálási feladatok kezelésében rejlik, hanem ami még fontosabb, kivételes rugalmasságában, precíz folyamatvezérlésében és magas szinten automatizált tervezésében.

**Jellemző/Előny** | **Részletes leírás**

**Folyamatrugalmasság** | Különböző méretű ostyák feldolgozására képes, beleértve a 150 mm-es, 200 mm-es és 300 mm-eseket; támogatja a ostyák többlépéses nedves feldolgozási folyamatait, beleértve a fémlerakódást, a maratást és a tisztítást.

**Széleskörű anyagtámogatás** | Széles körű fémek és ötvözetek, például réz, nikkel, arany, ón-ezüst, mágneses ötvözetek és arany-ón eutektikus forrasztóanyagok leválasztását támogatja. Többrétegű réteges maratást is támogat speciális anyagokhoz, mint például a CZT és az AlN.

**Fejlett folyamatvezérlés** | Többzónás anódrendszert alkalmaz az egyenletes bevonatolás érdekében, még ultravékony vagy rezisztív vetőmagrétegek esetén is. 300 mm-es ostyákon a továbbfejlesztett kamrás reaktor dinamikusan képes szabályozni az áramsűrűséget a lerakódás egyenletességének biztosítása érdekében.

**Nagy áteresztőképesség és alacsony költségek** | A „tanítás nélküli” precíziós automatizálás kiküszöböli a kézi kalibrálással járó állásidőt, míg az ionmembrán technológia meghosszabbítja a kémiai fürdő élettartamát, ami rendkívül alacsony üzemeltetési költségeket eredményez. Ezenkívül kompakt méretének köszönhetően hatékonyan növeli az össztermelési kapacitást. **Saját fejlesztésű technológiai bővítés:** Elődje, a Raider GT rendszer akár hat galvanizáló kamrát is támogatott, és opcionális hőkezelési vagy mérési modulokat, valamint integrált kamrákat kínált a lapka él-, ferdeség- és hátoldaltisztításhoz.

**Alkalmazási területek**

**Fejlett csomagolások és összekötők:** Réz összekötők kitöltésére használják chipgyártásban, biztosítva az üregmentes kitöltést; rézoszlopok, forrasztási dudorok (beleértve az ólommentes forrasztást is) és újraelosztó rétegek (RDL) lerakására is használják ostya szintű csomagolásban.

**Speciális eszközgyártás:** Többrétegű fémleválasztáshoz használják olyan eszközökben, mint a MEMS és érzékelők; kiváló minőségű réztöltést biztosít a TSV-khez (szilíciumon keresztüli furatok) és a TGV-khez (üvegen keresztüli furatok).

**Teljesítmény- és összetett félvezetők:** Vastag rézrétegek leválasztására használják erősáramú eszközökben, valamint vékony ostyák alacsony feszültségű hátoldali fémbevonatához.

**Egyéb speciális eljárások:** Képes arany bevonatára vagy üveglapkák tisztítására ózonalapú vegyületekkel; többrétegű rétegmaratásra – ami túlmutat a hagyományos UBM (dudor alatti fémezés) maratási képességeken.

**Műszaki adatok**

**Ostya méret támogatása:** 150 mm, 200 mm, 300 mm

**Bevonatoló modulok száma:** Az alapmodellek több modult támogatnak; a csúcskategóriás modellek akár 6-ot is befogadhatnak.

**Bevonat egyenletessége:** Iparágvezető (konkrét adatokat nem közölünk).

**Támogatott anyagok:** Cu (réz), Au (arany), SnAg (ón-ezüst), Ni (nikkel), mágneses ötvözetek, AuSn (arany-ón eutektikum) stb.

**Folyamatképességek:** Támogatja a vastag rézleválasztást akár 100 µm-ig, a nagy képarányú (HAR) struktúrák kitöltését, valamint a 22 nm-nél kisebb kritikus méretű (CD) csomópontok kitöltését.

**Automatizálási szint:** Teljesen automatizált, klaszter alapú többkamrás architektúra; támogatja a gyári automatizálási protokollokat, például a SECS/GEM-et; kompatibilis a SMIF és FOUP wafer transzfer podokkal.

Összehasonlítás az ACM ULTRA ECP alkalmazással

A félvezető galvanizáló berendezések területének kulcsszereplőjeként ez a rendszer egészen másképp helyezkedik el, mint az ACM Research ULTRA ECP app-p – az a modell, amelyről korábban érdeklődött. A kettő közötti választás végső soron az Ön konkrét folyamatkövetelményeitől függ.

**Összehasonlító méretek** | **Applied Materials Raider Edge ECD** | **ACM Research ULTRA ECP ap-p**

**Alaptechnológia** | Nagy pontosságú bevonatolásra összpontosít egyetlen ostyán | Áttörő vízszintes bevonatolási technológia panel szintű hordozókhoz

**Célfelület** | 150 mm – 300 mm-es ostyák | 510 mm x 515 mm-es panelek

**Fő előnyök** | Iparági benchmark; magas technológiai érettség; széles folyamatablak | Kitölti az iparági rést; költséghatékony tömeggyártást tesz lehetővé panelszinten

**Folyamatfókuszú** | Hangsúlyozza a zökkenőmentes integrációt a front-end összekapcsolási folyamatokkal | Kifejezetten a Fan-Out Panel-Level Packaging (FOPLP) számára tervezve

A Raider Edge ECD igazi ereje az evolúciójában rejlik: eredetileg a 22 nm-es csomóponton rézösszekötőkhöz használt technológia egy rendkívül sokoldalú platformmá alakult át, amely képes széles körű speciális folyamatokat támogatni – a mágneses anyagoktól a fejlett tokozásokig –, ezáltal demonstrálva mélyreható skálázhatóságát.