EN
id
sk
sr
sv
it
pt
bn
ms
be
nl
fr
th
vi
ru
ja
ko
de
hy
az
bs
bg
my
cs
da
dv
el
et
fil
fi
ga
gl
gn
he
hi
km
hr
hu
is
kn
rw
lo
lv
lt
lb
lg
mi
mt
ne
no
ny
or
om
per
pl
ro
sa
so
es
sw
ta
tr
uk
ur
cy
xh
ACCRETECH UF200R 120–200mm (5–8 इञ्च्) वेफरस्य कृते ACCRETECH (जापान) इत्यस्मात् पूर्णतया स्वचालितः, व्यय-प्रभावी अर्धचालक-जाँचकः अस्ति । अस्य उपयोगः डाइसिंग् इत्यस्मात् पूर्वं वेफर-स्तरस्य चिप्स् इत्यस्य विद्युत्परीक्षणार्थं (CP testing) कृते भवति ।
किं करोति ?
सरलतया वक्तुं शक्यते यत्: वेफरस्य व्यक्तिगतचिप्स् मध्ये पासाकरणात् पूर्वं, अन्वेषणं विद्युत्/कार्यात्मकपरीक्षणं कर्तुं चिपपैड्स् इत्यनेन सह सम्पर्कं कुर्वन्ति, उत्तमचिप्स् तथा दोषपूर्णचिप्स् पृथक् कुर्वन्ति। चरणः वेफर परीक्षणम् (CP) 1.1.
लक्ष्यम् : मुख्यतया २०० मि.मी. (८-इञ्च्), ५/६-इञ्च् वेफरस्य कृते अपि उपयुक्तम्
विशिष्ट चिप्स : तर्क, एनालॉग, शक्ति उपकरण, असतत उपकरण, MEMS
II. मूलविनिर्देशाः (एकदृष्टौ) २.
वेफर आकारः १२०/१५०/२००मिमी (५–८-इञ्च) २.
स्थिति सटीकता: ± 1.5μm (XY)
गतिवेगः : १.
XY: 300 मि.मी./सेकण्ड् पर्यन्तम्
Z: 30 मि.मी./सेकण्ड् पर्यन्तम्
तापमान सीमा: -40°C ～ +150°C (वैकल्पिक तापमान नियन्त्रण)
चरणः उच्च-कठोरता Z / θ मञ्चः, अति-पतले / विकृत वेफर सह संगतः
संचालनम् : पूर्णतया स्वचालितं लोडिंग् अनलोडिंग्, स्वचालितं संरेखणम्, अन्वेषणनिरीक्षणम्
III. मुख्य कार्य
पूर्णतया स्वचालितपरीक्षणप्रक्रिया
स्वचालित वेफर लोडिंग → इमेज संरेखण → प्रोब सम्पर्क → विद्युत् परीक्षण → विभाजन तथा रिकार्डिंग → स्वचालित अनलोडिंग
बहुश्रेणी संगतता
मानक तर्कः, एनालॉग्, पावरः, MOSFET, डायोडः, ट्रांजिस्टरः, MEMS सर्वाणि मापनीयानि सन्ति । विस्तृत तापमानपरिधिः विशेषपरीक्षाः च। न्यून/उच्चतापमानस्य, सूक्ष्म-वर्तमानस्य, उच्च-वोल्टेज-परीक्षणस्य इत्यादीनां कृते सम्पूर्णविकल्पाः अति-पतले/विकृत-वेफर-प्रक्रियाकरणम्। पृष्ठभाग सोखना + विशेष निबन्धन तन्त्र, अति-पतले (≤50μm) तथा उच्च-विकृत वेफर समर्थन।
IV. लाभाः (सदृशानां उत्पादानाम् तुलने) २.
उच्च-लाभ-प्रदर्शन-अनुपातः : उच्च-अन्तस्य UF2000 (MMI इत्यस्य समानस्य) सटीकतायाः मञ्चस्य च समीपे, परन्तु अधिक-सस्ती-मूल्ये ।
उच्च-थ्रूपुट्: XY उच्चगति + त्वरित-पिन-परिवर्तन-कार्डः, उच्च-मात्रायां 8-इञ्च्-उत्पादन-रेखानां कृते उपयुक्तः ।
स्थिरं विश्वसनीयं च : परिपक्वः ACCRETECH मञ्चः, न्यूनरक्षणं, दीर्घायुः।
लचीला विस्तारः : मॉड्यूलर डिजाइन, तापमाननियन्त्रणेन, उच्चवोल्टेजेन, सूक्ष्मधारा, द्वय-बिन इत्यादिभिः सह पश्चात् योजितुं शक्यते।
V. सामान्यतुलना (भवतः शीघ्रं समीचीन उत्पादस्य स्थानं ज्ञातुं साहाय्यं करोति)
UF200R: सामान्य 8-इञ्च सामूहिक उत्पादन, तर्क / शक्ति / असतत, लागत-प्रभावशीलता प्राथमिकता।
UF190R: अधिकं संकुचितं, प्रवेशस्तरीयं, असततयन्त्राणां/लघुबैचानां प्रति पूर्वाग्रही।
UF2000: उच्च-अन्त-८-इञ्च्, उच्चतर-सटीकता, व्यापक-तापमान-नियन्त्रणम्, MEMS/ उन्नत-प्रौद्योगिकी
संक्षेपेण: UF200R 8-इञ्च्-मध्य-परीक्षण-बाजारे "मुख्य-लाभ-प्रभावी-जाँच-स्थानकम्" अस्ति-इदं पर्याप्तं सटीकताम्, उच्च-गतिम्, स्थिरतां, स्थायित्वं, विस्तारं च प्रदाति, येन उच्च-मात्रायां, बहु-विविधतायाः 8-इञ्च्-उत्पादन-रेखाणां कृते उपयुक्तं भवति
