IoN 200, представлена компанією PVA TePla, — це радіочастотна плазмова система, спеціально розроблена для модифікації, очищення та озолення поверхонь. Її основна перевага полягає у винятковій гнучкості: вона не лише відповідає вимогам дослідницьких лабораторій щодо точного дослідження процесів, але й бездоганно інтегрується в середовище масового виробництва, дозволяючи обробляти великоформатні підкладки та підтримувати великосерійне виробництво.
**Принцип роботи**
IoN 200 використовує технологію радіочастотної плазми для збудження газів у вакуумному середовищі, тим самим генеруючи плазму. Високоенергетичні плазмові радикали ініціюють як фізичне бомбардування, так і хімічні реакції на поверхні матеріалу, виконуючи такі технологічні завдання, як очищення, активація або травлення. Крім того, PVA TePla пропонує додатковий модуль технології мікрохвильової плазми; ця технологія використовує енергію електромагнітних хвиль для збудження газів та генерації реактивних радикалів. Це забезпечує високоефективний, рівномірний та ізотропний процес очищення, водночас ефективно запобігаючи пошкодженням, викликаним іонами, та накопиченню електростатичного заряду.
**Основні можливості**
IoN 200 має комплексні технологічні можливості:
**Очищення поверхонь:** Видалення нелетких залишків, таких як органічні забруднювачі та оксиди.
**Активація поверхні**: Введення полярних функціональних груп для покращення змочуваності та адгезії поверхні, тим самим готуючи поверхню до наступних процесів, таких як дозування та склеювання.
**Озолення / Видалення осаду:** У процесах виробництва та упаковки пластин це включає точне видалення фоторезисту — або очищення від залишків, що залишаються після травлення малюнка (тобто осаду) — за допомогою високоефективного процесу озолення фоторезисту; це забезпечує безпошкоджувальну та точну обробку.
**Переваги та особливості**
У таблиці нижче наведено видатні технічні переваги та конструктивні особливості IoN 200 у різних розмірах:
**Розмір** | **Детальний опис**
**Виняткова гнучкість** | Здатна обробляти пластини діаметром до 200 мм, а також різні типи великоформатних підкладок. Система пропонує різноманітні варіанти радіочастотного живлення та підтримує конфігурацію камер та електродів різних розмірів, щоб точно відповідати конкретним вимогам процесу та виробничій продуктивності; зокрема, найбільший варіант камери може похвалитися місткістю до 1200 літрів, що забезпечує достатньо місця для майбутнього розширення та модернізації системи.
**Надійна продуктивність процесу** | Використовуючи технологію радіочастотної плазми та пропонуючи додатковий модуль мікрохвильової плазми, система демонструє широку адаптивність до процесу. Її основна мета — забезпечити стабільні та послідовні результати процесу на підкладках розміром до 200 мм. Наприклад, під час видалення фоторезисту система досягає виняткової швидкості видалення та однорідності.
**Висока чистота та екологічність**: Система використовує процес «сухого» очищення, що різко відрізняється від традиційних методів вологого хімічного очищення, що усуває необхідність обробки небезпечних рідких відходів та зарекомендувало себе як екологічно чиста «зелена» технологія.
**Передові технології та надійна якість**: Спираючись на понад 25 років глибокого досвіду в галузі плазмової обробки, PVA TePla відома в галузі терміном служби обладнання, що перевищує 20 років, що свідчить про її виняткову якість та надійність. Її унікальна технологія мікрохвильової плазми забезпечує комплексне та безпошкоджуване очищення зразків.
**Зручне керування та відстеження даних:** У конструкції системи робиться особливий акцент на універсальному управлінні програмами, безвідмовних системах сигналізації та програмному забезпеченні для збору даних. Це не лише забезпечує користувачам розширений та інтуїтивно зрозумілий інтерфейс роботи, але й гарантує відстеження процесу, тим самим задовольняючи суворі вимоги галузі до контролю якості. **Технічні характеристики**
Хоча конкретні характеристики обладнання можуть відрізнятися залежно від фактичної конфігурації, перелік основних функцій IoN 200 наведено на основі загальнодоступної інформації:
**Параметр** | **Деталі**
**Тип пристрою** | Система обробки радіочастотної (РЧ) плазми (опційно доступна мікрохвильова плазмова система)
**Розмір пластини/підкладки** | Підтримує до 200 мм (8 дюймів)
**Режим обробки** | Підтримує як пакетну обробку, так і обробку окремих пластин/підкладок для задоволення різноманітних вимог процесу щодо однорідності та економічної ефективності
**Конфігурація камери** | Модульна конструкція, сумісна з різними типами електродів та конструкцій камер
**Основні застосування** | Видалення фоторезисту (озолення/зняття), видалення органічних/неорганічних забруднень, активація поверхні
**Технологічні гази** | Кисень (O₂), аргон (Ar), фторвмісні гази тощо.
**Радіочастотна потужність** | Пропонує різні варіанти конфігурації потужності та частоти для задоволення конкретних вимог процесу (наприклад, 13,56 МГц або 2,45 ГГц [мікрохвильова хвиля])
**Сфери застосування**
Завдяки своїй винятковій продуктивності та гнучкості, IoN 200 відіграє ключову роль у різних секторах високоякісного виробництва.
**Виробництво напівпровідників (переднє налаштування):** Використовується під час виготовлення пластин для озолення/зачистки фоторезисту; для видалення фоторезисту після таких процесів, як іонна імплантація; та для видалення органічних та неорганічних забруднень з поверхонь пластин.
**Удосконалена упаковка (бекенд):** Використовується для активації та очищення поверхонь підкладки та чіпа перед склеюванням дротом, кріпленням штампа та заповненням, тим самим забезпечуючи оптимальні результати адгезії та заповнення.
**МЕМС та оптоелектронні пристрої:** Використовуються у виробництві МЕМС та оптоелектронних компонентів для видалення жертовних шарів або залишків фоторезисту, наприклад, для видалення фоторезисту SU-8.
**Інші галузі:** Його основні технологічні принципи також застосовні до таких галузей, як науки про життя, медичні технології, автомобільна електроніка та аерокосмічна промисловість, де вони служать для підвищення надійності та продуктивності продукції.
**Короткий виклад**
Таким чином, PVA TePla IoN 200 – це потужна система плазмової обробки, що пропонує виняткову гнучкість процесу. Вона забезпечує видатну продуктивність у високоякісному очищенні, видаленні фоторезисту та активації поверхні, що робить її особливо придатною для лабораторних досліджень і розробок та середніх виробничих середовищ, що включають підкладки розміром 200 мм або менше. Її гнучка модульна конструкція та надійна продуктивність роблять її надійним рішенням у секторах напівпровідників, мікроелектроніки та передових корпусів.




