Плазменный очиститель PVA TePla IoN 200

Система плазменной обработки IoN 200, представленная компанией PVA TePla, представляет собой радиочастотную (РЧ) плазменную систему, специально разработанную для модификации поверхностей, очистки и удаления припоя. Ее главное преимущество заключается в исключительной гибкости: она не только отвечает требованиям научно-исследовательских лабораторий к точному исследованию процессов, но и легко интегрируется в условия массового производства, позволяя обрабатывать крупноформатные подложки и поддерживая крупносерийное производство.

**Принцип работы**

Установка IoN 200 использует технологию ВЧ-плазмы для возбуждения газов в вакуумной среде, генерируя тем самым плазму. Высокоэнергетические плазменные радикалы инициируют как физическую бомбардировку, так и химические реакции на поверхности материала, выполняя таким образом такие технологические задачи, как очистка, активация или травление. Кроме того, PVA TePla предлагает опциональный модуль микроволновой плазменной технологии; эта технология использует энергию электромагнитных волн для возбуждения газов и генерации реактивных радикалов. Это обеспечивает высокоэффективный, равномерный и изотропный процесс очистки, эффективно предотвращая повреждения, вызванные ионами, и накопление электростатического заряда.

**Основные возможности**

Установка IoN 200 обладает широкими технологическими возможностями:

**Очистка поверхностей:** Удаление нелетучих остатков, таких как органические загрязнения и оксиды.

**Активация поверхности:** Введение полярных функциональных групп для повышения смачиваемости и адгезии поверхности, что подготавливает поверхность к последующим процессам, таким как дозирование и склеивание.

**Удаление окалины/остатков фоторезиста:** В процессах производства и упаковки кремниевых пластин это включает в себя точное удаление фоторезиста — или очистку остатков, оставшихся после травления рисунка (т.е. удаление окалины) — посредством высокоэффективного процесса удаления окалины с фоторезиста; это обеспечивает точную обработку без повреждений.

**Преимущества и особенности**

В таблице ниже представлены выдающиеся технические преимущества и конструктивные особенности IoN 200 по различным параметрам:

**Размеры** | **Подробное описание**

**Исключительная гибкость** | Способна обрабатывать пластины диаметром до 200 мм, а также различные типы крупноформатных подложек. Система предлагает различные варианты источников питания ВЧ-сигнала и поддерживает конфигурацию камер и электродов различных размеров для точного соответствия конкретным технологическим требованиям и производительности; в частности, самый большой вариант камеры имеет вместимость до 1200 литров, что обеспечивает достаточно места для будущего расширения и модернизации системы.

**Надежная производительность процесса** | Благодаря использованию технологии ВЧ-плазмы и наличию опционального модуля микроволновой плазмы, система демонстрирует широкую адаптивность к технологическим процессам. Ее основная задача — обеспечение стабильных и однородных результатов обработки подложек размером до 200 мм. Например, при удалении фоторезиста система обеспечивает исключительную скорость и равномерность удаления.

**Высокая чистота и экологичность:** Система использует процесс «сухой» очистки — в отличие от традиционных методов влажной химической очистки — что исключает необходимость обращения с опасными жидкими отходами и позиционирует себя как экологически чистая «зеленая» технология.

**Передовые технологии и надежное качество:** Опираясь на более чем 25-летний опыт в области плазменной обработки, компания PVA TePla известна в отрасли сроком службы оборудования, превышающим 20 лет, что свидетельствует о ее исключительном качестве и надежности. Уникальная технология микроволновой плазмы обеспечивает комплексную и безопасную очистку образцов.

**Удобство в использовании и отслеживаемость данных:** В конструкции системы особое внимание уделяется универсальному управлению программами, отказоустойчивым системам сигнализации и программному обеспечению для сбора данных. Это не только обеспечивает пользователям расширенные и интуитивно понятные возможности управления, но и гарантирует отслеживаемость процесса, тем самым отвечая строгим требованиям отрасли к контролю качества. **Технические характеристики**

Хотя конкретные технические характеристики могут различаться в зависимости от фактической конфигурации, следующие основные функции IoN 200 перечислены на основе общедоступной информации:

**Параметры** | **Подробности**

**Тип устройства** | Система обработки плазмы с использованием радиочастотного излучения (опционально доступна система микроволновой плазмы)

**Размер пластины/подложки** | Поддерживает пластины до 200 мм (8 дюймов)

**Режим обработки** | Поддерживает как пакетную обработку, так и обработку отдельных пластин/подложек для удовлетворения различных требований к однородности и экономической эффективности процесса.

**Конфигурация камеры** | Модульная конструкция, совместимая с различными типами электродов и конструкциями камер

**Основные области применения** | Удаление фоторезиста (озоление/удаление), удаление органических/неорганических загрязнений, активация поверхности

**Технологические газы** | Кислород (O₂), аргон (Ar), фторсодержащие газы и др.

**ВЧ-мощность** | Предлагает различные варианты конфигурации мощности и частоты для удовлетворения конкретных технологических требований (например, 13,56 МГц или 2,45 ГГц [микроволновое излучение])

**Области применения**

Благодаря своей исключительной производительности и гибкости, IoN 200 играет ключевую роль в различных секторах высокотехнологичного производства.

**Производство полупроводников (начальный этап):** Используется в процессе изготовления пластин для удаления/обесцвечивания фоторезиста; для удаления фоторезиста после таких процессов, как ионная имплантация; и для удаления органических и неорганических загрязнений с поверхности пластин.

**Усовершенствованная упаковка (завершающий этап):** Используется для активации и очистки поверхностей подложки и микросхемы перед проволочным пайкой, установкой кристалла и заполнением компаундом, обеспечивая тем самым оптимальные результаты адгезии и заполнения.

**МЭМС и оптоэлектронные устройства:** Используются в производстве МЭМС и оптоэлектронных компонентов для удаления жертвенных слоев или остатков фоторезиста — например, для удаления фоторезиста SU-8.

**Другие отрасли:** Его основные технологические принципы также применимы в таких областях, как биологические науки, медицинская техника, автомобильная электроника и аэрокосмическая промышленность, где он служит для повышения надежности и производительности продукции.

**Краткое содержание**

Вкратце, PVA TePla IoN 200 — это мощная система плазменной обработки, обеспечивающая исключительную гибкость процесса. Она демонстрирует выдающиеся результаты в высококачественной очистке, удалении фоторезиста и активации поверхности, что делает её особенно подходящей для лабораторных исследований и разработок, а также для среднемасштабного производства с использованием подложек размером 200 мм и менее. Гибкая модульная конструкция и высокая производительность делают её надёжным решением в полупроводниковой, микроэлектронной и передовой упаковочной отраслях.