PVA TePla 플라즈마 클리너 IoN 200

PVA TePla에서 출시한 IoN 200은 표면 개질, 세척 및 회화 공정에 특화된 RF(무선 주파수) 플라즈마 시스템입니다. 이 제품의 핵심 강점은 탁월한 유연성에 있습니다. 정밀한 공정 탐색을 위한 연구 개발 실험실의 요구 사항을 충족할 뿐만 아니라, 대량 생산 환경에도 원활하게 통합되어 대형 기판 처리 및 고용량 생산을 지원합니다.

**작동 원리**

IoN 200은 RF 플라즈마 기술을 이용하여 진공 환경에서 기체를 여기시켜 플라즈마를 생성합니다. 고에너지 플라즈마 라디칼은 재료 표면에서 물리적 충격과 화학 반응을 일으켜 세척, 활성화 또는 에칭과 같은 공정 작업을 수행합니다. 또한 PVA TePla는 옵션으로 마이크로파 플라즈마 기술 모듈을 제공합니다. 이 기술은 전자기파 에너지를 이용하여 기체를 여기시키고 반응성 라디칼을 생성합니다. 이를 통해 이온 유도 손상 및 정전기 축적을 효과적으로 방지하면서 고효율, 균일성 및 등방성을 갖춘 세척 공정을 보장합니다.

**핵심 역량**

IoN 200은 포괄적인 처리 기능을 갖추고 있습니다.

**표면 세척:** 유기 오염 물질 및 산화물과 같은 비휘발성 잔류물을 제거합니다.

**표면 활성화:** 극성 작용기를 도입하여 표면의 습윤성과 접착력을 향상시키고, 이를 통해 도포 및 접착과 같은 후속 공정을 위한 표면을 준비합니다.

**애싱/데스컴:** 웨이퍼 제조 및 패키징 공정에서, 이는 고효율 포토레지스트 애싱 공정을 통해 포토레지스트를 정밀하게 제거하거나 패턴 에칭 후 남은 잔류물(즉, 데스컴)을 제거하는 과정입니다. 이 과정을 통해 손상 없는 정밀 공정이 보장됩니다.

**장점 및 특징**

아래 표는 IoN 200의 다양한 측면에서 뛰어난 기술적 이점과 설계 특징을 보여줍니다.

**크기** | **상세 설명**

**탁월한 유연성** | 최대 직경 200mm의 웨이퍼는 물론 다양한 종류의 대형 기판을 처리할 수 있습니다. 이 시스템은 다양한 RF 전원 공급 옵션을 제공하며, 특정 공정 요구 사항 및 생산 처리량에 맞춰 다양한 크기의 챔버 및 전극 구성을 지원합니다. 특히, 가장 큰 챔버 옵션은 최대 1,200리터의 용량을 자랑하여 향후 시스템 확장 및 업그레이드를 위한 충분한 공간을 제공합니다.

**탁월한 공정 성능** | RF 플라즈마 기술을 활용하고 옵션으로 마이크로파 플라즈마 모듈을 제공하는 이 시스템은 폭넓은 공정 적응성을 자랑합니다. 핵심 목표는 최대 200mm 크기의 기판에서 안정적이고 일관된 공정 결과를 보장하는 것입니다. 예를 들어, 포토레지스트 제거 시 탁월한 제거율과 균일성을 달성합니다.

**높은 청결도 및 친환경성:** 본 시스템은 기존의 습식 화학 세척 방식과는 완전히 다른 "건식" 세척 방식을 채택하여 유해한 액체 폐기물을 처리할 필요가 없으며, 환경 친화적인 "녹색" 기술입니다.

**선도적인 기술 및 믿을 수 있는 품질:** 플라즈마 처리 분야에서 25년 이상의 풍부한 전문 지식을 바탕으로, PVA TePla는 20년 이상 지속되는 장비 수명으로 업계에서 명성을 얻고 있으며, 이는 탁월한 품질과 신뢰성을 입증하는 증거입니다. 독자적인 마이크로파 플라즈마 기술을 통해 시료를 손상 없이 완벽하게 세척할 수 있습니다.

**사용자 친화적인 작동 및 데이터 추적성:** 본 시스템은 다용도 프로그램 제어, 안전 경보 시스템 및 데이터 수집 소프트웨어에 중점을 두고 설계되었습니다. 이를 통해 사용자는 고급스럽고 직관적인 작동 경험을 누릴 수 있을 뿐만 아니라 공정 추적성을 보장하여 업계의 엄격한 품질 관리 요구 사항을 충족할 수 있습니다. **기술 사양**

실제 구성에 따라 구체적인 하드웨어 사양은 다를 수 있지만, 공개된 정보를 바탕으로 IoN 200의 핵심 기능은 다음과 같습니다.

**매개변수** | **세부 정보**

**장치 유형** | RF(무선 주파수) 플라즈마 처리 시스템 (선택 사양으로 마이크로파 플라즈마 시스템 사용 가능)

**웨이퍼/기판 크기** | 최대 200mm(8인치) 지원

**처리 모드** | 균일성 및 비용 효율성에 대한 다양한 공정 요구 사항을 충족하기 위해 배치 처리 모드와 단일 웨이퍼/기판 처리 모드를 모두 지원합니다.

**챔버 구성** | 모듈식 설계로 다양한 유형의 전극 및 챔버 구조와 호환 가능

**주요 응용 분야** | 포토레지스트 제거(회분/박리), 유기/무기 오염물질 제거, 표면 활성화

**공정 가스** | 산소(O₂), 아르곤(Ar), 불소 함유 가스 등

**RF 출력** | 특정 공정 요구 사항에 맞춰 다양한 출력 및 주파수 구성 옵션을 제공합니다(예: 13.56MHz 또는 2.45GHz[마이크로파]).

**적용 분야**

탁월한 성능과 유연성을 바탕으로 구축된 IoN 200은 다양한 고급 제조 분야에서 핵심적인 역할을 수행합니다.

**반도체 제조(프런트엔드):** 웨이퍼 제조 공정 중 포토레지스트 애싱/스트리핑, 이온 주입과 같은 공정 후 포토레지스트 제거, 웨이퍼 표면에서 유기 및 무기 오염물질 제거에 사용됩니다.

**고급 패키징(후공정):** 와이어 본딩, 다이 접착 및 언더필링 전에 기판 및 칩 표면을 활성화하고 세척하여 최적의 접착 및 충진 결과를 보장하는 데 사용됩니다.

**MEMS 및 광전자 장치:** MEMS 및 광전자 부품 제조에 사용되어 희생층 또는 포토레지스트 잔류물을 제거합니다. 예를 들어 SU-8 포토레지스트 제거에 사용됩니다.

**기타 산업:** 이 기술의 기본 원리는 생명 과학, 의료 기술, 자동차 전자 장치 및 항공 우주와 같은 분야에도 적용되어 제품의 신뢰성과 성능을 향상시키는 데 사용됩니다.

**요약**

요약하자면, PVA TePla IoN 200은 탁월한 공정 유연성을 제공하는 강력한 플라즈마 처리 시스템입니다. 고품질 세척, 포토레지스트 제거 및 표면 활성화에서 뛰어난 성능을 발휘하여 200mm 이하 기판을 사용하는 실험실 R&D 및 중규모 생산 환경에 특히 적합합니다. 유연한 모듈식 설계와 견고한 성능으로 반도체, 마이크로일렉트로닉스 및 첨단 패키징 분야에서 신뢰받는 솔루션으로 자리매김했습니다.