PVA TePla Plasmareiniger IoN 200

Das von PVA TePla eingeführte IoN 200 ist ein HF-Plasmasystem (Hochfrequenzplasma), das speziell für Oberflächenmodifizierung, Reinigung und Veraschung entwickelt wurde. Seine Stärke liegt in seiner außergewöhnlichen Flexibilität: Es erfüllt nicht nur die Anforderungen von Forschungs- und Entwicklungslaboren an die präzise Prozessentwicklung, sondern lässt sich auch nahtlos in die Massenproduktion integrieren und ermöglicht so die Bearbeitung großformatiger Substrate und die Unterstützung der Serienfertigung.

**Funktionsprinzip**

Das IoN 200 nutzt HF-Plasmatechnologie zur Anregung von Gasen im Vakuum und erzeugt so Plasma. Hochenergetische Plasmaradikale initiieren sowohl physikalische als auch chemische Reaktionen auf der Materialoberfläche und ermöglichen so Prozessschritte wie Reinigung, Aktivierung oder Ätzung. Darüber hinaus bietet PVA TePla optional ein Mikrowellenplasma-Technologiemodul an. Diese Technologie nutzt elektromagnetische Wellenenergie zur Anregung von Gasen und zur Erzeugung reaktiver Radikale. Dies gewährleistet einen hocheffizienten, gleichmäßigen und isotropen Reinigungsprozess und verhindert gleichzeitig effektiv ioneninduzierte Schäden und elektrostatische Aufladung.

**Kernkompetenzen**

Der IoN 200 verfügt über umfassende Prozessfähigkeiten:

**Oberflächenreinigung:** Entfernung von nichtflüchtigen Rückständen wie organischen Verunreinigungen und Oxiden.

**Oberflächenaktivierung:** Einführung polarer funktioneller Gruppen zur Verbesserung der Benetzbarkeit und Haftung der Oberfläche und damit zur Vorbereitung der Oberfläche auf nachfolgende Prozesse wie das Dosieren und Verbinden.

**Veraschung / Entkalkung:** Bei der Herstellung und Verpackung von Wafern bezeichnet dies die präzise Entfernung von Fotolack – oder die Beseitigung von Rückständen, die nach dem Ätzen der Struktur verbleiben (d. h. Entkalkung) – durch einen hocheffizienten Fotolackveraschungsprozess; dies gewährleistet eine beschädigungsfreie und präzise Bearbeitung.

**Vorteile und Funktionen**

Die nachstehende Tabelle hebt die herausragenden technischen Vorteile und Designmerkmale des IoN 200 in verschiedenen Dimensionen hervor:

**Abmessungen** | **Detaillierte Beschreibung**

**Außergewöhnliche Flexibilität** | Das System verarbeitet Wafer bis zu 200 mm Durchmesser sowie verschiedene großformatige Substrate. Es bietet diverse HF-Stromversorgungsoptionen und ermöglicht die Konfiguration von Kammern und Elektroden in unterschiedlichen Größen, um spezifische Prozessanforderungen und Produktionsleistungen präzise zu erfüllen. Die größte Kammeroption bietet ein Volumen von bis zu 1.200 Litern und damit ausreichend Spielraum für zukünftige Systemerweiterungen und -modernisierungen.

**Hohe Prozessleistung** | Dank RF-Plasmatechnologie und einem optionalen Mikrowellenplasmamodul zeichnet sich das System durch hohe Prozessflexibilität aus. Sein Hauptziel ist die Gewährleistung stabiler und konsistenter Prozessergebnisse auf Substraten bis zu 200 mm Größe. Beispielsweise erzielt das System beim Entfernen von Fotolack außergewöhnliche Abtragsraten und eine hervorragende Gleichmäßigkeit.

**Hohe Reinheit und Umweltfreundlichkeit:** Das System verwendet ein „trockenes“ Reinigungsverfahren – ein deutlicher Kontrast zu herkömmlichen nasschemischen Reinigungsmethoden – wodurch die Notwendigkeit der Handhabung gefährlicher flüssiger Abfälle entfällt und es sich als umweltfreundliche „grüne“ Technologie etabliert.

**Führende Technologie & Zuverlässige Qualität:** Dank über 25 Jahren Erfahrung in der Plasmabearbeitung ist PVA TePla in der Branche für Geräte mit einer Lebensdauer von über 20 Jahren bekannt – ein Beweis für seine außergewöhnliche Qualität und Zuverlässigkeit. Die einzigartige Mikrowellenplasma-Technologie ermöglicht eine umfassende und schonende Reinigung von Proben.

**Benutzerfreundliche Bedienung & Datenrückverfolgbarkeit:** Das Systemdesign legt großen Wert auf vielseitige Programmsteuerung, ausfallsichere Alarmsysteme und Datenerfassungssoftware. Dies bietet Anwendern nicht nur eine fortschrittliche und intuitive Bedienung, sondern gewährleistet auch die Rückverfolgbarkeit der Prozesse und erfüllt somit die strengen Qualitätsanforderungen der Branche. **Technische Spezifikationen**

Die genauen Hardware-Spezifikationen können je nach Konfiguration variieren. Die folgenden Kernmerkmale des IoN 200 basieren auf öffentlich verfügbaren Informationen:

**Parameter** | **Details**

**Gerätetyp** | RF-Plasmaverarbeitungssystem (Hochfrequenz) (optional: Mikrowellen-Plasmasystem erhältlich)

**Wafer-/Substratgröße** | Unterstützt bis zu 200 mm (8 Zoll)

**Verarbeitungsmodus** | Unterstützt sowohl Batch-Verarbeitung als auch Einzelwafer-/Substrat-Verarbeitung, um den unterschiedlichen Prozessanforderungen hinsichtlich Gleichmäßigkeit und Kosteneffizienz gerecht zu werden.

**Kammerkonfiguration** | Modulares Design, kompatibel mit verschiedenen Elektroden- und Kammerstrukturen

**Hauptanwendungen** | Entfernung von Fotolack (Veraschung/Stripping), Entfernung organischer/anorganischer Verunreinigungen, Oberflächenaktivierung

**Prozessgase** | Sauerstoff (O₂), Argon (Ar), fluorhaltige Gase usw.

**HF-Leistung** | Bietet verschiedene Optionen zur Leistungs- und Frequenzkonfiguration, um spezifischen Prozessanforderungen gerecht zu werden (z. B. 13,56 MHz oder 2,45 GHz [Mikrowelle]).

**Anwendungsbereiche**

Dank seiner außergewöhnlichen Leistungsfähigkeit und Flexibilität spielt der IoN 200 eine zentrale Rolle in verschiedenen High-End-Fertigungsbranchen.

**Halbleiterfertigung (Frontend):** Wird während des Wafer-Herstellungsprozesses zum Veraschen/Strippen von Fotolack, zum Entfernen von Fotolack nach Prozessen wie der Ionenimplantation und zur Beseitigung organischer und anorganischer Verunreinigungen von Waferoberflächen verwendet.

**Advanced Packaging (Back-End):** Wird eingesetzt, um Substrat- und Chipoberflächen vor dem Drahtbonden, der Chipbefestigung und dem Underfilling zu aktivieren und zu reinigen, wodurch optimale Haftungs- und Füllergebnisse gewährleistet werden.

**MEMS und optoelektronische Bauelemente:** Wird bei der Herstellung von MEMS- und optoelektronischen Bauteilen zum Entfernen von Opferschichten oder Fotolackresten verwendet – beispielsweise zum Entfernen von SU-8-Fotolack.

**Weitere Branchen:** Die zugrunde liegenden technologischen Prinzipien sind auch in Bereichen wie den Biowissenschaften, der Medizintechnik, der Automobilelektronik und der Luft- und Raumfahrt anwendbar, wo sie zur Verbesserung der Produktzuverlässigkeit und -leistung beitragen.

**Zusammenfassung**

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass das PVA TePla IoN 200 ein leistungsstarkes Plasmabearbeitungssystem mit außergewöhnlicher Prozessflexibilität ist. Es liefert herausragende Ergebnisse bei der hochwertigen Reinigung, der Fotolackentfernung und der Oberflächenaktivierung und eignet sich daher besonders für Laborforschung und -entwicklung sowie für die Produktion mittlerer Größenordnungen mit Substraten bis 200 mm Durchmesser. Sein flexibles, modulares Design und seine robuste Leistung machen es zu einer bewährten Lösung in der Halbleiter-, Mikroelektronik- und Verpackungsindustrie.