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DISCO DFG8830 wafer grinder

DISCO DFG8830 molino de oblea rehegua

DISCO DFG8830 ha'e peteî máquina de adelgazamiento ha molienda totalmente automática umi material duro ha frágil, ojapóva empresa japonesa DISCO

Estado:Ojeporu ogaeva: ur oimhén:reiba
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9DISCO DFG8830 ha'e peteî máquina de adelgazamiento ha pulido totalmente automatizado umi material duro ha frágil, omoñepyrûva DISCO Corporation de Japón. Iñecentra central ha'e adelgazamiento eficiente, bajo daño umi material duro ha frágil semiconductor/óptico tercera generación ha'eháicha SiC ha zafiro. Oguerekóva arquitectura 4 ejes, 5 etapa, oequilibráva rendimiento yvate ha precisión yvate, ha'éva peteî máquina principal oñembopiro'y haguã oblea 6-8 pulgadas duro ha frágil.

I. Posicionamiento Básico ha Escenario Aplicación rehegua

1. Posicionamiento Núcleo rehegua

Peteî máquina de pulido ha adelgazamiento totalmente automatizado ojejapóva específicamente umi material de alta dureza, alta frágil (SiC, zafiro, cerámica, vidrio, etc.), oresolvéva umi punto dolor de baja eficiencia procesamiento, alto daño ha bajo rendimiento umi equipo tradicional.

2. Aplicaciones típicas rehegua

Semiconductores: Adelgazamiento umi oblea de potencia SiC/GaN (6-8 pulgadas), adelgazamiento umi sustrato zafiro rehegua (chips LED).

Óptica: Ojeadelgaza vidrio óptico, sustrato cerámico ha material infrarrojo rehegua.

Envasado Avanzado: Adelgazamiento umi oblea compuesta orekóva sustrato de soporte vidrio/cerámico (espesor total ≤ 3,5mm).

3. Tamañokuéra ojoajúva

Oblea procesada: Φ4/5/6 pulgadas (máximo Φ150mm).

Sustrato oipytyvõva: Φ5/6/8 pulgada (oñembojoaju umi sustrato 8 pulgada oipytyvõva oblea 6 pulgada rehegua ndive).

II. Estructura General ha Configuración Núcleo rehegua

1. Arquitectura tuichakue

Disposición: 4 huso + 5 mesas de mandril + 1 mesa giratoria, ointegráva opaite proceso de carga, molienda, ñemopotî, secado ha descarga, ocupáva 3,5 km añónte, compacto ha eficiente.

Dimensiones (I × I × I): 1400 × 2500 × 2000mm; Ipohýi: Haimete 6000kg.

2. Componentes básicos rehegua

(1) Sistema de huso (4 ejes, Z1-Z4) rehegua .

Ipu’aka: Z1-Z3 ha’e 6,3kW (rigidez yvate, par yvate, oĩporãva carga pohýi rehegua umi material hatã ha frágil rehe); Z4 ha e pe eje de acabado. Velocidad de rotación: 1000-4000 min−1 (salida de potencia constante, oĩporãva molienda áspero/fina-pe g̃uarã).

Rueda molienda: Rueda molienda de diamante estándar Φ300mm (tuicha diámetro, tasa de remoción yvate, oĩporãva umi material hatã ha frágil-pe g̃uarã).

2) Sistema de mesa de trabajo rehegua

5 mesa de trabajo ventosa de vacío ha 1 mesa giratoria ombohapéva procesamiento paralelo ha operación continua, orekóva UPH (capacidad superior por hora) mbohapy jey umi equipo eje único (ha'eháicha DFG8340).

Adsorción vacío + precisión posicionamiento ±2μm oasegura TTV (desviación total espesor) oblea rehegua oñembopiro y rire ha e ≤2μm.

3) Sistema de control rehegua

Interfaz de funcionamiento: GUI táctil 15 pulgadas, operación oñemopyendáva icono-pe, oipytyvõ monitoreo tiempo real, almacenamiento parámetro ha alarma anormal.

Núcleo de control: Servo + rejilla de alta precisión bucle cerrado, precisión control grueso rehegua ±0,1μm, oipytyvõ adelgazamiento nivel micrón (50μm peve). 3. Módulo Clave rehegua

Módulo de molienda: división de trabajo 4 eje rehegua (Z1 molienda áspero → Z2 molienda mediano → Z3 molienda fino → Z4 pulido/acabado), omohuꞌa heta proceso peteĩ abrazadera-pe, omboguejývo daño manejo rehegua.

Módulo ñemopotî ha Secado: Y potĩ rociado + aire iónico secado oñemolina rire, ndohejáiva residuo ni marca de agua, ombohováiva umi requisito semiconductor ñemopotî rehegua.

Carga ha Descarga Automática: Caja material doble (25 oblea por caja), ojehechakuaa automáticamente oblea/sustrato, omboguejýva intervención manual.

III. Principio de Trabajo ha Flujo de Proceso rehegua

1. Principio de molienda rehegua

Oipuru método de rotación de oblea + molienda en alimentación: Pe oblea ojere velocidad yvate mesa de trabajo ndive, ha pe rueda molienda diamante rehegua oalimenta axialmente, oipe a material corte abrasivo + microfractura rupive. Umi material hatã ha frágil-pe g̃uarã, ojeipeꞌa frágil haꞌehína pe método tenondegua, oñembojoapýva ojeipeꞌa plástico rupive, ocontroláva grieta pypuku ≤5μm.

2. Flujo Proceso Estándar rehegua

Carga: Peteĩ brazo robótico oipyhy pe oblea caja material-gui → omohenda → vacío oadsorbe mesa de trabajo ári.

Molienda grueso (Z1): Tasa de remoción yvate (50-100μm/min), pya’e oñembopiro’y pe espesor blanco peve + 20μm.

Molienda Media (Z2): Tasa de remoción media (20-50μm/min), omboguejýva capa oñembyaíva espesor blanco + 5μm peve.

Molienda Fina (Z3): Tasa de remoción ijyvate (5-10μm/min), TTV ≤ 2μm, capa oñembyaíva ≤ 2μm.

Pulido/Acabado superficial (Z4): Acabado espejo, rugosidad superficial Ra ≤ 0,1μm.

Oñemopotî ha ojeseca: Y potĩ rocío → aire iones secado → ojedeskarga caja material-pe.

.

IV. Ventajas Tecnológicas Básicas rehegua

1. Adaptabilidad Mbarete umi Material Duro ha Frágil-pe

Huso de alta potencia (6,3kW) + rueda molienda diamante tuicha diámetro, ombohetáva eficiencia procesamiento SiC/zafiro 3 veces ha ombopukúva rueda vida útil 50%.

Proceso de molienda de bajo daño: Capa de daño ≤2μm, rendimiento ≥99%, ohasáva mombyry umi proceso de lapping tradicional.

2. Capacidad de producción eficiencia yvate (4 ejes, 5 mesas de trabajo) .

Procesamiento paralelo: 4 eje ombaꞌapóva simultáneamente, 5 mesa de trabajo ojere meme, UPH≥30 oblea (6 pulgada SiC), 3 jey umi equipo eje único rehegua.

Totalmente automatizado: Carga, descarga, molienda, ñemopotî ha secado integrado; operación continua sin atención 24 aravo pukukue.

3. Precisión yvate ha estabilidad yvate

Control de espesor: ±0,1μm, TTV≤2μm, ombohováiva umi mba'e ojejeruréva oblea SiC grado automotriz-pe.

Estructura rígida: Cuerpo de hierro fundido + diseño de amortiguación vibración, vibración ≤0.5μm, ndaipóri deriva precisión-pe operación ipukúva jave. 4. Adaptabilidad Flexible ha Costo Operativo Imbovyvéva

Compatibilidad heta tamaño rehegua: Ojogueraha porã umi oblea 6 pulgada ha sustrato 8 pulgada rehegua ndive, ohejáva ojeporu heta mba’erã ha oñemboguejy inversión tembiporu rehegua.

Procesamiento Verde: Oipuru y potĩnte, omboykévo contaminación lodo pulido rehegua; y ky'a ikatu ojedeskarga directamente, omboguejýva costo operativo 30%.

V. Parámetro Técnico Clave rehegua Cuadro

Cuadro Parámetro Valor rehegua

Procesamiento Oblea Tamaño Φ4/5/6 pulgadas (máximo Φ150mm)

Sustrato de Apoyo Tamaño Φ5/6/8 pulgadas

Heta Huso / Poder 4 ejes, Z1-Z3: 6.3kW

Huso Velocidad 1000-4000min−1

Rueda Molienda Especificación Φ300mm Rueda Molienda Diamante rehegua

Exactitud Control de Espesor rehegua ±0,1μm

TTV (Deviación Total Espesor rehegua) ≤2μm

Rugosidad Superficial Ra≤0.1μm rehegua

Capacidad (6 pulgadas SiC) UPH≥30 oblea rehegua

Máquina Dimensiones generales (W × D × H) 1400 × 2500 × 2000mm

Ipohýi Aprox. 6000kg rehegua

Piso Área 3,5m2

VI. Ñembojojaha Tembiporu Ojoguáva ndive (DFG8830 vs DFG8340)

Cuadro Ñembojojaha Mba e DFG8830 (4 eje, 5 mesa de trabajo) DFG8340 (1 eje, 2 etapa) .

Configuración huso: 4 × 6.3kW, desbaste / acabado / pulido división: 1 × 4,2kW, proceso peteîva

Capacidad: UPH≥30 oblea (6 pulgada SiC), UPH≤10 oblea (6 pulgada SiC) .

Procesamiento exactitud: TTV≤2μm, capa de daño≤2μm, TTV≤5μm, capa de daño≤5μm

Umi mba e ojeporúva: SiC, zafiro, oblea compuesta (sustrato reheve), oblea silicio rehegua, cerámica ijyvyku’íva

Legado: 3,5m, 2m2

Umi escenario ojeporúva: Producción masiva, materiales de alta dureza ha frágil; Lote michĩva, oblea de silicio/materiales de baja dureza

VII. Resumen ha Industria Valor rehegua

DISCO DFG8830, orekóva arquitectura 4 ejes, 5 etapa, huso de alta potencia, ha proceso de bajo daño, oiko chugui peteî equipo de referencia adelgazamiento semiconductor tercera generación (SiC/GaN) ha sustrato óptico zafiro, oresolvéva umi punto dolor industria orekóva baja eficiencia, alto daño, ha bajo rendimiento procesamiento material duro ha frágil. Umi mba'e ha'eháicha mba'yrumýi energía pyahu, comunicación 5G ha iluminación LED, DFG8830 oipytyvõ umi dispositivo de potencia SiC ha chip LED zafiro ohupyty haguã producción masiva, omboguatáva industria semiconductor banda ampliada gotyo, perfil ipire hũvéva ha rendimiento yvateve.

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