DISCO DFG8830 Waffelschleifer

D'DISCO DFG8830 ass eng vollautomatiséiert Verdënnungs- a Poliermaschinn fir haart a brécheg Materialien, déi vun der DISCO Corporation a Japan lancéiert gouf. Hire Schwéierpunkt läit op der effizienter, beschiedeger Verdënnung vun Hallefleeder-/opteschen haarden a bréchegen Materialien vun der drëtter Generatioun wéi SiC a Saphir. Mat enger 4-Achs-, 5-Stufen-Architektur balanséiert se héijen Duerchgank a grousser Präzisioun, wat se zu enger Mainstream-Maschinn fir d'Verdënnung vun haarden a bréchegen Waferen vun 6-8 Zoll mécht.

I. Kärpositionéierung an Uwendungsszenarien

1. Kärpositionéierung

Eng vollautomatesch Polier- a Verdënnungsmaschinn, déi speziell fir Materialien mat héijer Häert a Spréchegkeet (SiC, Saphir, Keramik, Glas, asw.) entwéckelt gouf, fir d'Schwieregkeeten vun der gerénger Veraarbechtungseffizienz, dem héije Schued an dem niddrege Rendement vun traditionellen Ausrüstung ze léisen.

2. Typesch Uwendungen

Hallefleiter: Verdënnung vu SiC/GaN-Powerwaferen (6-8 Zoll), Verdënnung vu Saphirsubstrater (LED-Chips).

Optik: Verdënnung vun opteschem Glas, Keramiksubstrater an Infraroutmaterialien.

Fortgeschratt Verpackung: Verdënnung vu Kompositwaferen mat Glas-/Keramik-Traitersubstrater (Gesamtdicke ≤ 3,5 mm).

3. Kompatibel Gréissten

Veraarbechte Wafelen: Φ4/5/6 Zoll (maximal Φ150mm).

Ënnerstëtzend Substrater: Φ5/6/8 Zoll (kompatibel mat 8-Zoll Substrater, déi 6-Zoll Waferen ënnerstëtzen).

II. Gesamtstruktur a Kärkonfiguratioun

1. Gesamtarchitektur

Layout: 4 Spindelen + 5 Spannfutterdëscher + 1 Drehdësch, déi de ganze Prozess vum Belueden, Schleifen, Botzen, Trocknen an Entlueden integréiert, nëmmen 3,5㎡ grouss sinn, kompakt an effizient.

Dimensiounen (B×T×H): 1400×2500×2000mm; Gewiicht: Ongeféier 6000kg.

2. Kärkomponenten

(1) Spindelsystem (4 Achsen, Z1-Z4)

Leeschtung: Z1-Z3 sinn 6,3 kW (héich Steifheet, héijen Dréimoment, gëeegent fir schwéier Belaaschtungen op haarden a bréchegen Materialien); Z4 ass d'Fertigachs. Rotatiounsgeschwindegkeet: 1000-4000 min⁻¹ (konstant Leeschtung, gëeegent fir Grob-/Feinschleifen).

Schleifscheif: Standard Diamant-Schleifscheif Φ300mm (groussen Duerchmiesser, héich Ofholleistung, gëeegent fir haart a brécheg Materialien).

(2) Aarbechtsdëschsystem

5 Vakuum-Saugnäppchen-Aarbechtsdëscher an 1 Rotatiounsdësch erméiglechen eng parallel Veraarbechtung a kontinuéierleche Betrib, mat enger UPH (ieweschter Kapazitéit pro Stonn), déi dräimol sou héich ass wéi déi vun Eenachs-Ausrüstung (wéi DFG8340).

Vakuumadsorptioun + Positionéierungsgenauegkeet ±2μm garantéiert, datt den TTV (Gesamtdickenofwäichung) vum Wafer no der Verdënnung ≤2μm ass.

(3) Kontrollsystem

Betribsinterface: 15-Zoll Touch GUI, ikonbaséiert Operatioun, ënnerstëtzt Echtzäit-Iwwerwaachung, Parameterspäicherung an anormal Alarmer.

Kontrollkär: Héichpräzis Servo + Gitter mat zouener Schleif, Décktekontrollgenauegkeet ±0,1 μm, ënnerstëtzt Verdënnung op Mikronniveau (bis op 50 μm). 3. Schlësselmoduler

Schleifmodul: 4-Achs Aarbechtsopdeelung (Z1 Grobschleifen → Z2 Mëttelschleifen → Z3 Feinschleifen → Z4 Polieren/Veraarbechtung), Ofschloss vu verschiddene Prozesser an enger eenzeger Spannung, reduzéiert Schied beim Handhaben.

Reinigungs- an Trocknungsmodul: Sprëtzen mat purem Waasser + Trocknen mat Ionenloft nom Schleifen, ouni Réckstänn oder Waassermarken ze hannerloossen, an entsprécht den Ufuerderunge fir d'Halbleiterreinheet.

Automatesch Belueden an Entlueden: Duebel Materialkëschten (25 Wafer pro Këscht), automatesch Identifikatioun vu Waferen/Substrater, reduzéiert manuell Interventioun.

III. Funktionsprinzip a Prozessoflaf

1. Schleifprinzip

Benotzt Waferrotatioun + Schleifmethod beim Anführen: De Wafer rotéiert mat héijer Geschwindegkeet mam Aarbechtsdësch, an d'Diamantschleifscheif fiddert axial, wouduerch Material duerch abrasivt Schnëtt + Mikrofraktur ewechgeholl gëtt. Fir haart a brécheg Materialien ass d'Entfernung vu Bréchegkeet déi primär Method, ergänzt duerch d'Entfernung vu Plastik, wouduerch eng Rëssdéift ≤5μm kontrolléiert gëtt.

2. Standardprozessoflaf

Lueden: E Roboterarm hëlt de Wafer aus der Materialkëscht → positionéiert en → Vakuumadsorbéiert en op den Aarbechtsdësch.

Grobschleifen (Z1): Héich Ofholquote (50-100μm/min), séier Verdënnung op d'Zildicke + 20μm.

Mëttel Schleifen (Z2): Mëttelméisseg Ofholgeschwindegkeet (20-50μm/min), Reduktioun vun der beschiedegter Schicht op déi gewënschte Déckt + 5μm.

Feinschleifen (Z3): Niddreg Ofholquote (5-10μm/min), TTV ≤ 2μm, beschiedegt Schicht ≤ 2μm.

Poléieren/Uewerflächenveraarbechtung (Z4): Spigelfinish, Uewerflächenrauheet Ra ≤ 0,1μm.

Botzen an Trocknen: Reng Waasserspray → Ionenlofttrocknung → Entlueden an d'Materialkëscht.

3. Ënnerstëtzung vum Substratveraarbechtungsfloss: Passt sech un Glas/Keramik-Substrat-Kompositwafer un (Gesamtdicke ≤ 3,5 mm), Vakuumadsorptioun vum Substrat schützt d'Virderseite vum Wafer, schleift nëmmen d'Réckseite, léist d'Verkrummungs- a Brochproblemer vun ultradënnen Waferen.

IV. Kär technologesch Virdeeler

1. Staark Adaptatiounsfäegkeet un haart a brécheg Materialien

Héichleistungsspindel (6,3 kW) + Diamant-Schleifscheif mat groussen Duerchmiesser, déi d'Effizienz vun der SiC/Saphir-Veraarbechtung ëm d'3-facht erhéijen an d'Liewensdauer vun der Scheif ëm 50% verlängeren.

Schleifprozess mat geréngem Schued: Schuedschicht ≤2μm, Ausbeut ≥99%, wäit iwwer traditionell Läppprozesser.

2. Héicheffizient Produktiounskapazitéit (4 Achsen, 5 Aarbechtsdëscher)

Parallel Veraarbechtung: 4 Achsen déi gläichzäiteg schaffen, 5 Aarbechtsdëscher déi kontinuéierlech rotéieren, UPH≥30 Waferen (6-Zoll SiC), 3 Mol sou vill wéi eng Eenachsegräim.

Vollautomatiséiert: Integréiert Belueden, Entlueden, Schleifen, Botzen an Trocknen; onbeaufsichtegt kontinuéierlecht Betrib fir 24 Stonnen.

3. Héich Präzisioun an héich Stabilitéit

Décktkontroll: ±0,1μm, TTV≤2μm, erfëllt d'Ufuerderunge vun SiC-Wafer fir Automobilindustrie.

Steif Struktur: Gossgehäuse + Schwéngungsdämpfungsdesign, Schwéngung ≤0,5μm, keng Ofwäichung vun der Genauegkeet bei laangfristegem Betrib. 4. Flexibel Adaptabilitéit a niddreg Betribskäschten

Kompatibilitéit mat verschiddene Gréissten: Kompatibel mat 6-Zoll-Waferen an 8-Zoll-Substrater, wat eng villfälteg Notzung erméiglecht an d'Investitioun an Ausrüstung reduzéiert.

Gréng Veraarbechtung: Benotzt nëmme rengt Waasser, eliminéiert d'Verschmotzung duerch Polierschlamm; Ofwaasser kann direkt ofgeleet ginn, wat d'Betribskäschten ëm 30% reduzéiert.

V. Tabelle vun de wichtegsten technesche Parameteren

Wäert vun der Tabellparameter

Veraarbechtungswafergréisst Φ4/5/6 Zoll (maximal Φ150mm)

Gréisst vum Ënnerstëtzungssubstrat Φ5/6/8 Zoll

Zuel vun de Spindelen / Leeschtung 4 Achsen, Z1-Z3: 6,3 kW

Spindelgeschwindegkeet 1000-4000min⁻¹

Schleifscheif Spezifikatioun Φ300mm Diamant Schleifscheif

Genauegkeet vun der Décktkontroll ±0,1 μm

TTV (Total Décktofwäichung) ≤2μm

Uewerflächenrauheet Ra≤0,1μm

Kapazitéit (6-Zoll SiC) UPH≥30 Waferen

Gesamtmaschinendimensen (B×D×H) 1400×2500×2000mm

Gewiicht ongeféier 6000 kg

Buedemfläch 3,5㎡

VI. Vergläich mat ähnlechen Ausrüstungen (DFG8830 vs. DFG8340)

Dëschvergläichsartikel DFG8830 (4 Achsen, 5 Aarbechtsdëscher) DFG8340 (1-Achs, 2-Stufen)

Spindelkonfiguratioun: 4×6,3 kW, Op-/Finish-/Polierofdeelung: 1×4,2 kW, eenzelt Prozess

Kapazitéit: UPH≥30 Waferen (6-Zoll SiC), UPH≤10 Waferen (6-Zoll SiC)

Veraarbechtungsgenauegkeet: TTV≤2μm, Schuedschicht≤2μm, TTV≤5μm, Schuedschicht≤5μm

Geeignet Materialien: SiC, Saphir, Kompositwafer (mat Substrat), Siliziumwafer, Keramik mat gerénger Härte

Ierfschaft: 3,5㎡, 2㎡

Uwendbar Szenarien: Masseproduktioun, Materialien mat héijer Härte a brécheg; Kleng Chargen, Siliziumwafers/Materialien mat gerénger Härte

VII. Zesummefassung a Wäert vun der Industrie

Den DISCO DFG8830, mat senger 4-Achs-, 5-Stufen-Architektur, senger héijer Leeschtungsspindel a sengem Prozess mat geréngem Schued, ass zu engem Referenzausrüstung fir d'Verdënnung vun Hallefleeder vun der drëtter Generatioun (SiC/GaN) a Saphir-optesche Substrater ginn, andeems en d'Schwachpunkte vun der Industrie wéi niddreg Effizienz, héije Schued a niddreger Ausbezuelung bei der Veraarbechtung vun haarden a bréchegen Materialien léist. A Beräicher wéi nei Energiefahrzeugen, 5G-Kommunikatioun an LED-Beliichtung hëlleft den DFG8830 SiC-Energiegeräter a Saphir-LED-Chips, d'Masseproduktioun z'erreechen, wat d'Halbleederindustrie zu enger méi breederer Bandlück, méi dënne Profiler a méi héijer Leeschtung féiert.